BCR 133F E6327
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BCR 133F E6327

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

BCR 133F E6327-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-TSFP-3

Inventario:

RFQ Online
12835002
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BCR 133F E6327 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
130 MHz
Potenza - Max
250 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TSFP-3
Numero di prodotto di base
BCR 133

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
BCR133
Scheda Dati HTML
BCR 133F E6327-DG
Schede dati
BCR 133F E6327

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SP000014049
BCR133FE6327
BCR133FE6327XT
BCR 133F E6327-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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